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联合b)ZnO和ZnO-ZnS-450粉末的XRD图谱(450指的是处理温度450℃)。在储存放置1000h后，长园出面器件仍保持其初始效率的88%。c)在UV(25℃，相I线束RH~70%)照射下，石墨烯封装ZnO-ZnS-450和ZnO器件的稳定性对比图。
深圳图5石墨烯封装PSCs的紫外光稳定性a)石墨烯封装ZnO-ZnS-450器件的结构示意图。东莞大展c)ZnO和ZnO-ZnS-450器件的IPCE光谱和相应的拟合短路电流Jsc。
近年来，中厚智能展ZnO因其高电子迁移率和高透光率而备受关注。
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另外，长园出面子代MOFs与母体MOF相比虽然具有相似的结构框架，但是表现出了完全不同的磁学行为。相I线束【图文导读】图1：MOF材料通过配体交换法实现功能化示意图。
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